【新唐人2011年12月1日訊】(中央社記者張建中新竹1日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布，今年再度有5篇論文入選國際電子元件大會(IEDM)，居台灣業界之冠。
旺宏表示，IEDM被視為微電子元件界的奧林匹克盛會，每年吸引全球各地傑出研究成果於會中發表；這會議除提供技術交流平台，同時也是展現研發實力的重要櫥窗。
旺宏指出，今年IEDM預計12月5日至7日在美國華盛頓特區舉行；今年共有來自全球逾600篇論文投稿，最後評選出200餘篇於會中發表。
全球以美國IBM入選論文數量最多，達22篇；歐洲比利時微電子研究中心(IMEC)有16篇入選，居次。
台灣則以交大入選論壇數量最多，達6篇，旺宏有5篇論文入選；另外，國家奈米實驗室有4篇論文入選，工研院有3篇論文入選，台積電有2篇論文入選。
旺宏表示，今年入選論文主要是針對PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非揮發性記憶體的材料結構、可靠性及製程微縮等問題，進行深入探討；旺宏10年來在IEDM共發表41篇論文，研發頗具成果。
旺宏表示，IEDM被視為微電子元件界的奧林匹克盛會，每年吸引全球各地傑出研究成果於會中發表；這會議除提供技術交流平台，同時也是展現研發實力的重要櫥窗。
旺宏指出，今年IEDM預計12月5日至7日在美國華盛頓特區舉行；今年共有來自全球逾600篇論文投稿，最後評選出200餘篇於會中發表。
全球以美國IBM入選論文數量最多，達22篇；歐洲比利時微電子研究中心(IMEC)有16篇入選，居次。
台灣則以交大入選論壇數量最多，達6篇，旺宏有5篇論文入選；另外，國家奈米實驗室有4篇論文入選，工研院有3篇論文入選，台積電有2篇論文入選。
旺宏表示，今年入選論文主要是針對PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非揮發性記憶體的材料結構、可靠性及製程微縮等問題，進行深入探討；旺宏10年來在IEDM共發表41篇論文，研發頗具成果。
