旺宏5篇論文入選IEDM

2011年12月01日科技
【新唐人2011年12月1日訊】(中央社記者張建中新竹1日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布,今年再度有5篇論文入選國際電子元件大會(IEDM),居台灣業界之冠。

旺宏表示,IEDM被視為微電子元件界的奧林匹克盛會,每年吸引全球各地傑出研究成果於會中發表;這會議除提供技術交流平台,同時也是展現研發實力的重要櫥窗。

旺宏指出,今年IEDM預計12月5日至7日在美國華盛頓特區舉行;今年共有來自全球逾600篇論文投稿,最後評選出200餘篇於會中發表。

全球以美國IBM入選論文數量最多,達22篇;歐洲比利時微電子研究中心(IMEC)有16篇入選,居次。

台灣則以交大入選論壇數量最多,達6篇,旺宏有5篇論文入選;另外,國家奈米實驗室有4篇論文入選,工研院有3篇論文入選,台積電有2篇論文入選。

旺宏表示,今年入選論文主要是針對PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非揮發性記憶體的材料結構、可靠性及製程微縮等問題,進行深入探討;旺宏10年來在IEDM共發表41篇論文,研發頗具成果。

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