【新唐人2013年11月24日訊】 「日經新聞」今天（24日）報導，日本及美國超過20家晶片製造商，將攜手開發下一代磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）的量產技術。
據中央社編譯報導，美國晶片大廠美光科技公司（Micron Technology）及東京威力科創公司（Tokyo Electron）將主導合作開發案，希望於3年內讓技術臻於成熟，並於2018年開始量產。
日經報導，磁阻式隨機存取記憶體容量將是動態隨機存取記憶體（DRAM）的10倍，功耗將降低至目前標準的約2/3。
根據支持者，MRAM將提高運算速度並降低耗電量，電池續航力將更強大。
日經報導，信越化學工業株式會社（Shin-Etsu Chemical）、瑞薩電子公司（Renesas Electronics）及日立（Hitachi）等企業，都參與這項合作開發案。
根據報導，日本東芝（Toshiba）及南韓海力士（SK Hynix）也另外合力開發MRAM技術，南韓三星電子（Samsung Electronics）則是自行研發MRAM技術。
據中央社編譯報導，美國晶片大廠美光科技公司（Micron Technology）及東京威力科創公司（Tokyo Electron）將主導合作開發案，希望於3年內讓技術臻於成熟，並於2018年開始量產。
日經報導，磁阻式隨機存取記憶體容量將是動態隨機存取記憶體（DRAM）的10倍，功耗將降低至目前標準的約2/3。
根據支持者，MRAM將提高運算速度並降低耗電量，電池續航力將更強大。
日經報導，信越化學工業株式會社（Shin-Etsu Chemical）、瑞薩電子公司（Renesas Electronics）及日立（Hitachi）等企業，都參與這項合作開發案。
根據報導，日本東芝（Toshiba）及南韓海力士（SK Hynix）也另外合力開發MRAM技術，南韓三星電子（Samsung Electronics）則是自行研發MRAM技術。
