【新唐人2015年07月29日訊】（新唐人記者任浩綜合報導）英特爾與美光科技公司7月29日聯合發布名為「3D XPoint」的記憶體晶片，讀和寫的速度比現在的「NAND Flash」快1,000倍，或將對運算裝置、服務與應用帶來劃時代的變革。對普通用戶來說，未來電腦、手機速度將超快。
CNET報導，英特爾（Intel）與美光科技公司（Micron Technology）7月29日聯合發佈一種新型記憶體晶片「3D Xpoint」（發音為3D Cross Point），速度比傳統方式快一千倍，耐用度增加一千倍，密度高出10倍，可以用於系統存儲器和非易失性存儲，也即可以替換現在的SSD和RAM，讓個人電腦和智能手機等設備速度飛增。
英特爾與美光表示，3D XPoint技術是迄今儲存晶片技術一個重大的突破，是1989年NAND Flash推出以來，開啟全新類別的非揮發性記憶體（NVM）。CNET報導評價：「3D XPoint的存儲數據的方式，與現在的NAND技術採用了完全不同的方式。」「不再是傳統方法的在電容上存儲細胞，而是改變存儲細胞的屬性。」
大紀元引述彭博社報導，3D XPoint新技術完全改變了儲存晶片的架構，整個技術以垂直導體連結1280億個高密度規格記憶體儲存單元，並堆疊出來的交叉式陣列結構，改善過去經常發生因儲存晶片（或硬碟）導致的延緩情況。
英特爾副總克羅希（Rob Crooke）表示，數十年來，業界都在尋找降低處理器與資料間滯後的方法，容許更快速的分析。「這種新型的非揮發性記憶體達到這個目標，對解決記憶體與儲存器間問題，帶來突破性的變革」。
不過3D XPoint儘管很快會量產，但其價格定位比NAND Flash高很多，所以短時間內3D XPoint仍無法代替RAM。
預計從2016年開始，使用3D XPoint技術的新產品將提供給消費者。
CNET報導，英特爾（Intel）與美光科技公司（Micron Technology）7月29日聯合發佈一種新型記憶體晶片「3D Xpoint」（發音為3D Cross Point），速度比傳統方式快一千倍，耐用度增加一千倍，密度高出10倍，可以用於系統存儲器和非易失性存儲，也即可以替換現在的SSD和RAM，讓個人電腦和智能手機等設備速度飛增。
英特爾與美光表示，3D XPoint技術是迄今儲存晶片技術一個重大的突破，是1989年NAND Flash推出以來，開啟全新類別的非揮發性記憶體（NVM）。CNET報導評價：「3D XPoint的存儲數據的方式，與現在的NAND技術採用了完全不同的方式。」「不再是傳統方法的在電容上存儲細胞，而是改變存儲細胞的屬性。」
大紀元引述彭博社報導，3D XPoint新技術完全改變了儲存晶片的架構，整個技術以垂直導體連結1280億個高密度規格記憶體儲存單元，並堆疊出來的交叉式陣列結構，改善過去經常發生因儲存晶片（或硬碟）導致的延緩情況。
英特爾副總克羅希（Rob Crooke）表示，數十年來，業界都在尋找降低處理器與資料間滯後的方法，容許更快速的分析。「這種新型的非揮發性記憶體達到這個目標，對解決記憶體與儲存器間問題，帶來突破性的變革」。
不過3D XPoint儘管很快會量產，但其價格定位比NAND Flash高很多，所以短時間內3D XPoint仍無法代替RAM。
預計從2016年開始，使用3D XPoint技術的新產品將提供給消費者。
