张懋中拼研究 交大颁名誉博士

【新唐人2012年11月16日讯】（中央社记者林瑞益新竹16日电）交通大学今天颁授名誉博士学位给中央研究院院士张懋中，肯定他屡次跨出熟悉的领域，从头打拼，开发新的研究领域。

交大校长吴妍华表彰张懋中在学术界及产业界的重要贡献，她表示，张懋中于1979年毕业于交大电子研究所，也是中华民国国家工学博士，1997年获得交大杰出校友奖，2008年获颁交大荣誉教授，与交大渊源至深。

交大表示，张懋中现任职于美国加州大学洛杉矶分校讲座与杰出教授暨电机工程系主任，90年代于洛克威尔科学中心高速电子实验室，与研究团队完成“异质结双极性高速电晶体”（HBT）与其积成电路的研究与开发，并成功量产。

该技术现已成为手机必备发射器元件，是过去20年来从第2到第4代手机功率放大器的当然首选，其所开发的MOCVD HBT与BiFET功率放大器所制成的手机已经超过50亿台。

张懋中表示，他一生历经多次十字路口抉择，首先是在1972年台湾大学物理系毕业时，进入清华大学材料研究所，两年后进入交大电子研究所；历经两次研究学门的更换及3校各具特色的校风，增长眼界及为学方法。

他说，第2次抉择是在进入洛克威尔科学中心高速电子实验室，于砷化镓异质双极性电晶体等研究有了重要成果后，接受UCLA的邀请，开始长达15年的学术研究与教学生涯。

他表示，过去30年来屡次在生涯的十字路口跨出自己所熟悉的领域，从头打拼，虽充满了冒险和不可知性，但也走了别人未曾或很少走过的路，开发了新的研究领域。

张懋中曾发表320篇论文，并拥有25项美国专利，他在今年7月获得中央研究院院士殊荣。