力成Q2快闪记忆体稼动率9成

2013年02月05日台湾
【新唐人2013年02月05日讯】(中央社记者钟荣峰台北5日电)记忆体封测厂力成董事长蔡笃恭表示,今年第1季封装产能利用率84%,预估第2季快闪记忆体稼动率可超过9成。

力成今天下午举办法人说明会,董事长蔡笃恭表示,力成去年第4季封装产能利用率在90%到95%左右,测试产能利用率在6成以下;预估今年第1季封装产能利用率84%,其中DRAM稼动率50%到60%左右,快闪记忆体稼动率84%到85%,测试稼动率在6成以下,预估第2季快闪记忆体稼动率可超过9成。

观察标准型动态随机存取记忆体(Commodity DRAM)发展动向,蔡笃恭表示,供应商过去一年持续减产,去年年底价格开始向上,今年1月持续。蔡笃恭认为,标准型DRAM价格持稳情况会继续下去,DRAM厂不会继续扩增标准型产品,至少第1季会延续持稳。

在快闪记忆体部分,蔡笃恭指出,NAND型快闪记忆体(NAND Flash)厂商控制产量,去年第4季到现在,价格持续稳定,预估第1季价稳情况会持续;蔡笃恭预估第2季厂商会增加生产,同时控制生产量,不会供过于求,这代表在智慧型手机、平板电脑和超轻薄笔电等终端应用带动下,NAND快闪记忆体需求可向上。

在产能规划上,蔡笃恭指出,标准型DRAM封测产能,从2011年的每月2亿颗调整到去年第4季的每月1.5亿颗,预估今年第1季可调节到每月1.2亿颗,第2季将调节至每月不到1亿颗,降低对标准型DRAM的依赖度,产能调节到与市场需求差不多。

蔡笃恭表示,第2季DRAM产能将转到其他地方,标准型DRAM产能可符合市场订单需求,测试机台在第2季折旧费用会下降,超过5成测试机台会折旧完,第3季测试机台成本竞争力结构会提升。

在行动记忆体部分,蔡笃恭表示,去年第4季行动记忆体封测出货量大,今年第1季客户调节库存,对行动记忆体封测业绩会有伤害,不过到3月后情况会改善,第2季行动记忆体封测表现会比第1季好,需求会出来。

在行动记忆体测试上,蔡笃恭表示,固态硬碟(SSD)需要可靠度测试,目前NAND型快闪记忆体测试机台满载, DRAM测试机台也可转移到NAND Flash测试。