【新唐人2013年06月26日讯】封测台厂日月光、矽品、力成、南茂等，纷纷加速进度布局先进封装。工研院IEK表示，封测台厂可往半导体前中段制程移动，掌握原材料方向。主要封测台厂看好下半年高阶封装市场需求，矽品董事长林文伯预估，高阶封测需求可逐季成长，相关产能供不应求；28奈米制程晶圆产出大增，后段封装数量需求量大。
据中央社报导，日月光也指出，今年半导体产业市场虽仍有不稳定性，但先进制程产能需求不减。工研院产经中心(IEK)分析师陈玲君指出，智慧手持装置终端市场需求，驱动先进封装技术；预估到2016年，覆晶堆叠封装(FCPoP)、覆晶球闸阵列封装(FBGA)和晶片尺寸覆晶封装(FC-CSP)仍是各阶机种手机晶片的主要封装技术。
因应高阶先进封装市场需求，封测台厂加速布局进度。日月光规划今年到2015年，在高阶封装技术的执行重点，包括20奈米制程CPI封装、铜柱凸块(Cu Pillar Bump)和无铅焊锡凸块(Lead free solder bumping)和低成本基板、panel size扇出型晶圆级封装FOWLP以及系统级封装。
日月光先前公布在高雄楠梓加工出口区第二园区规划扩展高阶封测产能，在产品规划上，日月光第二园区将以覆晶(Flip Chip)、铜柱凸块、晶圆级封装(WLP)、矽穿孔封装(TSV)及微机电封装(MEMS)等高阶制程封测生产与研发为主。
矽品规划彰化厂为高阶封装产能重要基地，主要生产FC-CSP、凸块晶圆和系统级封装(SiP)等高阶封装产线。整体彰化厂高阶封装产能可因应至2015年产能扩充需求。矽品今年也持续积极开发panel size扇出型晶圆级晶片尺寸封装(fan out WLCSP)和铜柱凸块(Copper Pillar Bump)产品。
力成今年资本支出估约新台币70亿元，其中50亿元主要投资铜柱凸块和覆晶封装等新技术。力成董事长蔡笃恭先前表示，力成铜柱凸块技术已进入手机晶片客户验证阶段，预估第3季底到第4季，针对应用处理器采用铜柱凸块的覆晶封装技术，将会有好成绩。
南茂未来 3年计画持续以逻辑混合讯号IC和微机电作为扩充目标；开发覆晶封装在记忆体和逻辑混合产品封装应用，以及晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)和重布线(RDL)技术应用。南茂今年资本支出规模约25到28亿元，其中3成投资在WL-CSP与微机电所需封装技术设备。
展望下一世代，陈玲君表示，包括3D IC、FOWLPoP和内埋系统封装(embedded SiP) 等泛3D IC技术，将会是未来先进封装技术的核心；包括晶圆代工厂、封测厂商甚至IC载板厂，正积极切入泛3D IC领域。到2016年，泛3D IC封装技术在手机晶片的渗透率，可望开始增加。
相较于晶圆代工厂积极布局2.5D IC和3D IC，陈玲君指出，封测和IC载板厂多布局3D扇出型堆叠式封装(FOPoP)和内埋晶片/被动元件新兴中段制程。
力成也积极布局矽穿孔TSV和矽中介层(silicon interposer)，蔡笃恭表示正持续和逻辑IC和记忆体客户维持密切关系，预计2014年后开始量产。
在高阶载板部分，陈玲君表示，晶圆代工厂多布局矽中介层(Si-interposer)，日月光、矽品、景硕和欣兴则积极布局玻璃中介层(Glass interposer)。
展望整体发展，陈玲君建议，封测台厂须往前中段制程和掌握原材料方向发展；台厂也可考量引进日本先进封装技术、人才、设备与材料，继续保持台湾在全球专业委外封测产业地位。
据中央社报导，日月光也指出，今年半导体产业市场虽仍有不稳定性，但先进制程产能需求不减。工研院产经中心(IEK)分析师陈玲君指出，智慧手持装置终端市场需求，驱动先进封装技术；预估到2016年，覆晶堆叠封装(FCPoP)、覆晶球闸阵列封装(FBGA)和晶片尺寸覆晶封装(FC-CSP)仍是各阶机种手机晶片的主要封装技术。
因应高阶先进封装市场需求，封测台厂加速布局进度。日月光规划今年到2015年，在高阶封装技术的执行重点，包括20奈米制程CPI封装、铜柱凸块(Cu Pillar Bump)和无铅焊锡凸块(Lead free solder bumping)和低成本基板、panel size扇出型晶圆级封装FOWLP以及系统级封装。
日月光先前公布在高雄楠梓加工出口区第二园区规划扩展高阶封测产能，在产品规划上，日月光第二园区将以覆晶(Flip Chip)、铜柱凸块、晶圆级封装(WLP)、矽穿孔封装(TSV)及微机电封装(MEMS)等高阶制程封测生产与研发为主。
矽品规划彰化厂为高阶封装产能重要基地，主要生产FC-CSP、凸块晶圆和系统级封装(SiP)等高阶封装产线。整体彰化厂高阶封装产能可因应至2015年产能扩充需求。矽品今年也持续积极开发panel size扇出型晶圆级晶片尺寸封装(fan out WLCSP)和铜柱凸块(Copper Pillar Bump)产品。
力成今年资本支出估约新台币70亿元，其中50亿元主要投资铜柱凸块和覆晶封装等新技术。力成董事长蔡笃恭先前表示，力成铜柱凸块技术已进入手机晶片客户验证阶段，预估第3季底到第4季，针对应用处理器采用铜柱凸块的覆晶封装技术，将会有好成绩。
南茂未来 3年计画持续以逻辑混合讯号IC和微机电作为扩充目标；开发覆晶封装在记忆体和逻辑混合产品封装应用，以及晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)和重布线(RDL)技术应用。南茂今年资本支出规模约25到28亿元，其中3成投资在WL-CSP与微机电所需封装技术设备。
展望下一世代，陈玲君表示，包括3D IC、FOWLPoP和内埋系统封装(embedded SiP) 等泛3D IC技术，将会是未来先进封装技术的核心；包括晶圆代工厂、封测厂商甚至IC载板厂，正积极切入泛3D IC领域。到2016年，泛3D IC封装技术在手机晶片的渗透率，可望开始增加。
相较于晶圆代工厂积极布局2.5D IC和3D IC，陈玲君指出，封测和IC载板厂多布局3D扇出型堆叠式封装(FOPoP)和内埋晶片/被动元件新兴中段制程。
力成也积极布局矽穿孔TSV和矽中介层(silicon interposer)，蔡笃恭表示正持续和逻辑IC和记忆体客户维持密切关系，预计2014年后开始量产。
在高阶载板部分，陈玲君表示，晶圆代工厂多布局矽中介层(Si-interposer)，日月光、矽品、景硕和欣兴则积极布局玻璃中介层(Glass interposer)。
展望整体发展，陈玲君建议，封测台厂须往前中段制程和掌握原材料方向发展；台厂也可考量引进日本先进封装技术、人才、设备与材料，继续保持台湾在全球专业委外封测产业地位。
