【新唐人北京时间2023年12月17日讯】韩国首尔中央地方法院周六（12月16日）批准逮捕一名涉嫌将芯片核心技术泄露给中国的前三星电子员工。
法院在周六上午发出的声明中说，一名法官周五发出了逮捕令。周三，检察官怀疑，这名金姓前三星电子员工涉嫌将18纳米级DRAM（动态随机存取存储器）核心技术非法转让给中国存储芯片制造商“长鑫存储技术有限公司”。
据《韩国经济日报》报导，检方表示，技术泄漏造成的损失可能约为2.3万亿韩元（18亿美元），且此案还涉及三星电子供应商的其他数十人。
韩联社报导说，三星电子前部长金某与合作厂商A公司前部长方某涉嫌违反《产业技术保护法》，将核心技术非法转让给长鑫存储。
韩国检方认为，金某等人2016年离开三星电子，去了长鑫存储时，不仅转让了芯片“沉积技术”相关资料，还泄露了其它7个核心技术资料，并以此收受数百亿韩元的财物。
韩国检方还认为，金某还以税后5亿韩元（约38万5千元美金）的报酬带走了三星电子及有关公司的逾20名技术人员。
三星对此没有评论。
长鑫存储拒绝就此事发表具体评论，但在一份声明中表示，它尊重知识产权，并拥有健全机制防止来自员工的第三方信息流入。
美国国会众议院对中共委员会主席加拉格尔（Mike Gallagher）今年5月曾呼吁美国商务部应立即将长鑫存储列入实体清单中，“确保美国技术，无论规格如何，都不会落入长鑫存储、长江存储或其它在该行业运营的中国企业手里”。
韩国产业技术泄露到海外的案件在最近6年间共达117件，92.3%泄漏到中国，其中36项为国家关键技术。根据韩国警察厅统计，今年2月至10月技术外泄案件较去年增加75%，是近十年来最高水平。
在韩国加强打击产业间谍之际，一名前三星电子高管崔珍奭因涉嫌盗取机密并企图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂，被逮捕起诉。崔珍奭11月份以5000万韩元（约3万8,500元美金）获得保释，引发业界对“轻饶”商业秘密犯罪的担忧。
崔珍奭涉嫌从2018年8月至2019年2月以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等资讯。涉案技术属于韩国的国家核心技术，包括用于制造30奈米以下动态随机存取记忆体（DRAM）和快闪记忆体芯片（NAND）的制程工艺。
他曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，曾获政府颁发的“银塔产业勋章”，是韩国半导体制造领域的权威人物。2015年7月，他在新加坡成立半导体公司，从成都、台湾企业拿到投资后引进了韩国业界逾200名核心人才。他还试图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处设立山寨版三星芯片厂。崔珍奭否认所有指控。
韩联社报导说，在产业技术泄露问题日趋严峻的情况下，轻饶技术泄露事件涉案人员或催生其他产业间谍。相比技术泄露犯罪造成的严重损失，法院的实际量刑较轻。
（转自大纪元/责任编辑：周归航）
