【新唐人北京时间2024年09月07日讯】韩国首尔警方9月6日消息，因涉嫌对中企泄露芯片核心技术，三星电子前高管和首席研究员被批捕。
韩联社6日引述首尔警察厅产业技术安全侦查队的消息报导，曾担任三星电子和海力士半导体（现SK海力士）高管的崔某（66岁）和前三星电子首席研究员吴某（60岁），涉嫌违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图，用于成都高真科技公司的产品研发。
据悉，成都高真科技是崔某2021年获投资后设立，吴某出任该公司高管。
警方曾于今年1月申请提捕吴某，但被驳回。之后，警方补充侦查并再次提请批捕，并一同提捕崔某，最终获批。
据《朝鲜日报》报导，崔某曾担任三星电子常务、海力士副社长。2023年6月，他曾因涉嫌窃取三星电子芯片工厂设计图，并意图在中国开设生产20纳米级DRAM芯片的“三星电子复制工厂”被拘留，并于11月被保释出狱。
报导称，两名嫌疑人涉嫌将包含20纳米级芯片生产所需的温度、压力等600多道工艺核心信息的资料泄露给中国成都高真科技。
警方表示，目前正在对崔某等10多人进行立案调查。通过与他们有关联的非法猎头企业，警方掌握了前往中国的200多名半导体工程师的名单。他们也被内部调查是否与技术泄露有关。
警方称，这是有史以来最大规模的产业人才流失。
（责任编辑：林清）
