【新唐人2012年12月03日訊】(中央社記者張建中新竹3日電)工研院今天宣布,與日本基板大廠KANEKA合作開發出氧化銦鎵鋅薄膜電晶體陣列技術(IGZO TFT),這項技術已獲選為第19屆全球顯示技術研討會(IDW)論文。
工研院表示,傳統電晶體是在380度高溫製程中,在矽晶圓或玻璃等堅固材質上,利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體製程,在矽晶圓上製作出極小的微結構。
工研院開發出的IGZO TFT陣列技術,使用塑膠基板及低溫200度以下製程,可突破電晶體與塑膠基板因熱漲冷縮易破裂的問題,使軟性基板在製程中維持平坦性及透明度,易於製造高撓曲TFT背板。
工研院指出,目前IGZO TFT陣列技術已整合應用於KANEKA軟性塑膠基板,並經雙方驗證,可廣泛應用於軟性主動式有機發光二極體(AMOLED)及OLED照明等領域,可加速實現可彎曲的手機及電腦等產品。
工研院表示,與KANEKA在IGZO TFT陣列技術的合作開發成果,已獲選為IDW論文,將受邀於4日研討會中發表。
工研院表示,傳統電晶體是在380度高溫製程中,在矽晶圓或玻璃等堅固材質上,利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體製程,在矽晶圓上製作出極小的微結構。
工研院開發出的IGZO TFT陣列技術,使用塑膠基板及低溫200度以下製程,可突破電晶體與塑膠基板因熱漲冷縮易破裂的問題,使軟性基板在製程中維持平坦性及透明度,易於製造高撓曲TFT背板。
工研院指出,目前IGZO TFT陣列技術已整合應用於KANEKA軟性塑膠基板,並經雙方驗證,可廣泛應用於軟性主動式有機發光二極體(AMOLED)及OLED照明等領域,可加速實現可彎曲的手機及電腦等產品。
工研院表示,與KANEKA在IGZO TFT陣列技術的合作開發成果,已獲選為IDW論文,將受邀於4日研討會中發表。