【新唐人北京時間2024年09月17日訊】近日在中國大陸社媒上，中國已能自製8奈米DUV光刻機以及掌握7納米光刻技術的說法甚囂塵上，但這些說法遭到業內人士駁斥。據指這場虛假榮耀的主要起因，是混淆了光刻機的分辨率和套刻精度的概念，以及對上海微電子申請EUV技術專利的捕風捉影，被指為「阿Q式自欺欺人」。
中共工信部9月初公布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」。其中列出的一台DUV光刻機的核心技術指標顯示，其分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。其後，網絡社群中就開始流傳中國已取得「重大技術突破」，可生產8奈米及以下晶片的說法。
與此同時，有網民根據外媒有關上海微電子已在國內申請了一系列「EUV技術專利」的報導，推導出了中國已掌握了製造7奈米及以下晶片的關鍵技術的結論。
一時間，「愛國主義」情緒在網絡社群中迅速膨脹，然而，在專業人士眼中，這只是一場令人啼笑皆非的鬧劇。
「芯智訊」引述專家指出，從工信部公佈的技術參數來看，列表中那台氟化氬光刻機的分辨率（也稱解析度）≤65nm，套刻精度為≤8nm。雖然相比之前上微生產的SSA600光刻機（解析度為90nm）在技術水平上有所提升，但並未達到28奈米晶片的程度，距離製造8奈米晶片就更加遙遠。
從技術上來說，65nm的分辨率，意味著單次光刻能夠達到的製程節點大約為「65奈米」；而「套刻≤ 8nm」指的只是套刻精度，並不意味著光刻技術已達到可以生產8nm晶片的程度。
科技媒體「WccfTech」的報導則直言，中國新公布的國產DUV曝光機的核心指標顯示，中方已掌握的光刻技術至少落後美國15年，因為荷蘭半導體設備公司 ASML 的客戶，至少在 2009 年就可以透過其 ArF光刻機生產相應水準的晶片了。
此外，德國之聲的一篇報導提及，上海微電子向中國國家智慧財產權局申請了一系列EUV技術專利。加上華為去年推出旗艦機Mate 60 Pro曾號稱搭載的是中芯國際生產的7奈米晶片，中國的小粉紅們因此就堅信，上海微電子等中國半導體企業已經掌握了製造7奈米及以下晶片的關鍵能力。
然而，台灣媒體卻注意到，雖然中國網絡社交平台上不少人在為中國的芯片技術取得「重大突破」而大肆慶祝，但官方媒體與有關廠商卻並沒有公開證實這種說法，也未發布任何實際的應用。
針對華為與中芯國際已掌握芯片製造的關機技術的說法，BBC中文網引述半導體研究者、新加坡國立大學商學院講師卡布利（Alex Capri）的評論指出：目前還沒有決定性證據表示華為擁有了相關關鍵技術的「全本土供應鏈」，更大的可能性是，中方可能找到了規避美國出口管制的方法，可以繼續獲得關鍵的外國技術。
（記者何雅婷綜合報導/責任編輯：林清）
