【新唐人2011年12月1日讯】(中央社记者张建中新竹1日电)记忆体制造厂旺宏电子今天宣布，今年再度有5篇论文入选国际电子元件大会(IEDM)，居台湾业界之冠。
旺宏表示，IEDM被视为微电子元件界的奥林匹克盛会，每年吸引全球各地杰出研究成果于会中发表；这会议除提供技术交流平台，同时也是展现研发实力的重要橱窗。
旺宏指出，今年IEDM预计12月5日至7日在美国华盛顿特区举行；今年共有来自全球逾600篇论文投稿，最后评选出200馀篇于会中发表。
全球以美国IBM入选论文数量最多，达22篇；欧洲比利时微电子研究中心(IMEC)有16篇入选，居次。
台湾则以交大入选论坛数量最多，达6篇，旺宏有5篇论文入选；另外，国家奈米实验室有4篇论文入选，工研院有3篇论文入选，台积电有2篇论文入选。
旺宏表示，今年入选论文主要是针对PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非挥发性记忆体的材料结构、可靠性及制程微缩等问题，进行深入探讨；旺宏10年来在IEDM共发表41篇论文，研发颇具成果。
旺宏表示，IEDM被视为微电子元件界的奥林匹克盛会，每年吸引全球各地杰出研究成果于会中发表；这会议除提供技术交流平台，同时也是展现研发实力的重要橱窗。
旺宏指出，今年IEDM预计12月5日至7日在美国华盛顿特区举行；今年共有来自全球逾600篇论文投稿，最后评选出200馀篇于会中发表。
全球以美国IBM入选论文数量最多，达22篇；欧洲比利时微电子研究中心(IMEC)有16篇入选，居次。
台湾则以交大入选论坛数量最多，达6篇，旺宏有5篇论文入选；另外，国家奈米实验室有4篇论文入选，工研院有3篇论文入选，台积电有2篇论文入选。
旺宏表示，今年入选论文主要是针对PCM、ReRAM及BE-SONOS等次世代非挥发性记忆体的材料结构、可靠性及制程微缩等问题，进行深入探讨；旺宏10年来在IEDM共发表41篇论文，研发颇具成果。
