【新唐人北京时间2024年09月17日讯】近日在中国大陆社媒上，中国已能自制8奈米DUV光刻机以及掌握7纳米光刻技术的说法甚嚣尘上，但这些说法遭到业内人士驳斥。据指这场虚假荣耀的主要起因，是混淆了光刻机的分辨率和套刻精度的概念，以及对上海微电子申请EUV技术专利的捕风捉影，被指为“阿Q式自欺欺人”。
中共工信部9月初公布了“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”。其中列出的一台DUV光刻机的核心技术指标显示，其分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。其后，网络社群中就开始流传中国已取得“重大技术突破”，可生产8奈米及以下晶片的说法。
与此同时，有网民根据外媒有关上海微电子已在国内申请了一系列“EUV技术专利”的报导，推导出了中国已掌握了制造7奈米及以下晶片的关键技术的结论。
一时间，“爱国主义”情绪在网络社群中迅速膨胀，然而，在专业人士眼中，这只是一场令人啼笑皆非的闹剧。
“芯智讯”引述专家指出，从工信部公布的技术参数来看，列表中那台氟化氩光刻机的分辨率（也称解析度）≤65nm，套刻精度为≤8nm。虽然相比之前上微生产的SSA600光刻机（解析度为90nm）在技术水平上有所提升，但并未达到28奈米晶片的程度，距离制造8奈米晶片就更加遥远。
从技术上来说，65nm的分辨率，意味着单次光刻能够达到的制程节点大约为“65奈米”；而“套刻≤ 8nm”指的只是套刻精度，并不意味着光刻技术已达到可以生产8nm晶片的程度。
科技媒体“WccfTech”的报导则直言，中国新公布的国产DUV曝光机的核心指标显示，中方已掌握的光刻技术至少落后美国15年，因为荷兰半导体设备公司 ASML 的客户，至少在 2009 年就可以透过其 ArF光刻机生产相应水准的晶片了。
此外，德国之声的一篇报导提及，上海微电子向中国国家智慧财产权局申请了一系列EUV技术专利。加上华为去年推出旗舰机Mate 60 Pro曾号称搭载的是中芯国际生产的7奈米晶片，中国的小粉红们因此就坚信，上海微电子等中国半导体企业已经掌握了制造7奈米及以下晶片的关键能力。
然而，台湾媒体却注意到，虽然中国网络社交平台上不少人在为中国的芯片技术取得“重大突破”而大肆庆祝，但官方媒体与有关厂商却并没有公开证实这种说法，也未发布任何实际的应用。
针对华为与中芯国际已掌握芯片制造的关机技术的说法，BBC中文网引述半导体研究者、新加坡国立大学商学院讲师卡布利（Alex Capri）的评论指出：目前还没有决定性证据表示华为拥有了相关关键技术的“全本土供应链”，更大的可能性是，中方可能找到了规避美国出口管制的方法，可以继续获得关键的外国技术。
（记者何雅婷综合报导/责任编辑：林清）
