聯電意法合作開發影像感測技術

【新唐人2012年9月6日訊】(中央社記者張建中新竹6日電)晶圓代工廠聯電今天宣布，將與意法半導體合作開發65奈米影像感測器背面照度(BSI)技術。

聯電表示，過去新加坡廠即曾為意法半導體生產前面照度式(FSI)製程，因應高解析度與高畫質需求，雙方進一步合作開發65奈米影像感測器背面照度(BSI)技術。

聯電指出，65奈米BSI製程可廣泛應用於智慧手機、平板電腦、高階監視器、消費型數位相機及數位單眼相機等產品領域。

聯電表示，目前有8吋及12吋影像感測器製造解決方案，將可滿足多元化市場需求。